年蒙苹果和谷歌均未就披露的法院文件发表进一步评论。
西电(g)浸润在1153K的具有实体结构的陶瓷中的金属-陶瓷界面的SEM图片。网输(b)1273K浸润材料在金属和氧化铝之间显示出界面的侵蚀。
(c,d)与浸润在1273K中的样品相比，配电浸润在1153K中的实体结构样品显示出较少的裂纹偏转行为。【引言】用于航空航天、千瓦千瓦能源和运输等结构应用的新材料往往需要能够在侵蚀性和高温的环境中安全使用，此外对于航空应用还需要材料密度较低。时上每时降(c,e)1153K浸润样品的断裂表面的SEM图片。
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配电(b)Zr46Cu30.14Ag8.36Al8Be7.5块状金属玻璃形成的合金熔体的粘度。通过第一性原理计算得知Cd的成功掺杂可以使Sn的空位形成能显著降低，千瓦千瓦进而得到更高的空位率，千瓦千瓦而实验结果证实了Cd的掺杂可以使Sn空位率提高到约2.9%，进而使载流子浓度得到进一步的提高（约2.6×1019 cm-3），十分接近载流子浓度理论最优值。
时上每时降图2 具备高浓度Sn空位的SnSe单晶片（a）光学照片。年蒙以及（e）材料中存在的所有声子散射源的示意图。
该团队首次通过溶剂热法实现了铜元素重掺杂的p型硒化锡微米级带状晶体，西电如图3所示，其烧结后的块体材料的ZT值在823K下可达到1.41。在铜掺杂机理的研究上，网输该团队取得重大突破，实现了在溶液法合成环境下所能达到的铜掺杂的最大浓度（11.8%）。
